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X射線(xiàn)反射
用于確定半導(dǎo)體晶片單層和多層膜厚度,密度和粗糙度。XRR可以對(duì)結(jié)晶和非晶材料進(jìn)行分析。當(dāng)X射線(xiàn)掠入射照射材料表面,在一定角度產(chǎn)生全反射θc。這個(gè)角度非常小,被稱(chēng)為臨界角。角度變化取決于材料的電子密度。X射線(xiàn)入射角度相對(duì)于臨界角較高,X射線(xiàn)穿透材料較深,材料表面為理想平面,反射率在上述這個(gè)角度突然下降。如果材料表面粗糙,反射率減少幅度更大。如果這樣的材料作為基板,被一種電子密度不同的材料覆蓋,X射線(xiàn)從薄膜和基板之間的界面反射,薄膜表面會(huì)互相干擾——結(jié)果產(chǎn)生震蕩。因此,可以通過(guò)測(cè)量強(qiáng)度確定電子密度分布,并且垂直屬性及表征多層膜的橫向?qū)傩裕ù植诙群徒涌诨蛲鈱咏Y(jié)構(gòu)相關(guān)特性)也可被確定。具體來(lái)說(shuō),膜厚可通過(guò)振蕩周期,表面信息和角相關(guān)振蕩模式的振幅來(lái)確定。
用于確定半導(dǎo)體晶片單層和多層膜厚度,密度和粗糙度。XRR可以對(duì)結(jié)晶和非晶材料進(jìn)行分析。當(dāng)X射線(xiàn)掠入射照射材料表面,在一定角度產(chǎn)生全反射θc。這個(gè)角度非常小,被稱(chēng)為臨界角。角度變化取決于材料的電子密度。X射線(xiàn)入射角度相對(duì)于臨界角較高,X射線(xiàn)穿透材料較深,材料表面為理想平面,反射率在上述這個(gè)角度突然下降。如果材料表面粗糙,反射率減少幅度更大。如果這樣的材料作為基板,被一種電子密度不同的材料覆蓋,X射線(xiàn)從薄膜和基板之間的界面反射,薄膜表面會(huì)互相干擾——結(jié)果產(chǎn)生震蕩。因此,可以通過(guò)測(cè)量強(qiáng)度確定電子密度分布,并且垂直屬性及表征多層膜的橫向?qū)傩裕ù植诙群徒涌诨蛲鈱咏Y(jié)構(gòu)相關(guān)特性)也可被確定。具體來(lái)說(shuō),膜厚可通過(guò)振蕩周期,表面信息和角相關(guān)振蕩模式的振幅來(lái)確定。